Mary Anne Potter è stata un'importante scienziata di
semiconduttori che ha lavorato col premio Nobel Jack Kilby presso la Texas
Instruments. Ha dato un importantissimo contributo
per i circuiti integrati e a tutto il campo della microelettronica nel corso
della sua carriera. Potter ha conseguito il dottorato di ricerca in ingegneria
elettrica presso la Stanford University nel 1978 e ha iniziato la sua carriera
presso i Bell Labs, dove ha lavorato allo sviluppo di materiali e dispositivi
semiconduttori avanzati.
La ricerca della Potter presso i Bell Labs si è concentrata
sullo sviluppo dell'arseniuro di gallio (GaAs) come materiale per dispositivi
elettronici ad alta velocità, che da allora è diventato un materiale chiave nel
campo della microelettronica. Ha anche dato un contributo significativo allo
sviluppo di dispositivi basati su silicio, inclusi i primi transistor al
silicio con una lunghezza del gate di 0,1 micrometri, che hanno stabilito un
nuovo standard per le prestazioni del dispositivo.
Potter è stata anche una sostenitrice della diversità e
dell'inclusione nel campo dell'ingegneria e della tecnologia. È stata
presidente della IEEE Electron Devices Society ed è stata riconosciuta per la
sua leadership e difesa a favore delle donne e delle minoranze
sottorappresentate nel campo della microelettronica.
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