domenica 5 marzo 2023

MICROCHIP: LA NUOVA LEGGE DI MOORE 2.0

MICROCHIP: LA NUOVA LEGGE DI MOORE 2.0

È noto come la legge di Moore affermi che dal 1965 ogni due anni l’industria sarebbe stata capace di inserire in un chip il doppio di transistor, una legge che si è dimostrata valida fino ad oggi quando i nostri smartphone ne contengono miliardi.

Oggi molti ritengono che quella legge abbia raggiunto il suo limite con transistor grandi quanto poche decine di atomi e per la verità incontrando il Dr. Moore nel suo ufficio alla Intel di Santa Clara nel 1991 mi confermò questo limite anzi, per la verità, riteneva che lo avremmo raggiunto molto prima del 2020.

Ma ancora una volta la tecnologia dimostra di essere in grado di superare sé stessa con un novo transistor dal nome spin-FET (spin Field-Effect Transistor) cui caratteristiche fanno prevedere che enormi vantaggi in termini di energia e velocità rispetto al vecchio MOS-FET.  Lo spin-FET sfrutta una caratteristica quantistica dell’elettrone, il suo spin e con questo nuovo elemento disporremo presto di dispostivi con frequenze dell’ordine dei Terahertz (migliaia di Gigahertz) e di memorie e microchip a velocità ordini di grandezza superiori alle massime attuali e non ci sarà limite all’espansione possibile dei nostri attuali dispositivi digitali. Nasce la legge di Moore 2.0.

IN PROSSIMI POST SPIEGHERÒ COME FUNZIONA LO SPINFET.

Per gli interessati alla storia della tecnologia giunta fino ad oggi ho scritto due libri in italiano ed inglese.

Il mostriciattolo semimetallico che ha cambiato il mondo (Italiano): https://bit.ly/3Jfytr9

La mia storia con Intel (italiano): https://bit.ly/3EXSjom

The Semimetallic Monstering that Changed our World (English): https://bit.ly/3kGzyPy

My Intel Story (English): https://bit.ly/3ZezUvD





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