MICROCHIP: LA NUOVA LEGGE DI MOORE 2.0
È noto come la legge di Moore affermi che dal 1965 ogni due
anni l’industria sarebbe stata capace di inserire in un chip il doppio di
transistor, una legge che si è dimostrata valida fino ad oggi quando i nostri
smartphone ne contengono miliardi.
Oggi molti ritengono che quella legge abbia raggiunto il suo
limite con transistor grandi quanto poche decine di atomi e per la verità
incontrando il Dr. Moore nel suo ufficio alla Intel di Santa Clara nel 1991 mi confermò
questo limite anzi, per la verità, riteneva che lo avremmo raggiunto molto
prima del 2020.
Ma ancora una volta la tecnologia dimostra di essere in
grado di superare sé stessa con un novo transistor dal nome spin-FET (spin
Field-Effect Transistor) cui caratteristiche fanno prevedere che enormi
vantaggi in termini di energia e velocità rispetto al vecchio MOS-FET. Lo spin-FET sfrutta una caratteristica quantistica
dell’elettrone, il suo spin e con questo nuovo elemento disporremo presto di
dispostivi con frequenze dell’ordine dei Terahertz (migliaia di Gigahertz) e di
memorie e microchip a velocità ordini di grandezza superiori alle massime
attuali e non ci sarà limite all’espansione possibile dei nostri attuali
dispositivi digitali. Nasce la legge di Moore 2.0.
IN PROSSIMI
POST SPIEGHERÒ COME FUNZIONA LO SPINFET.
Per gli interessati alla storia della tecnologia giunta fino
ad oggi ho scritto due libri in italiano ed inglese.
Il mostriciattolo semimetallico che ha cambiato il mondo
(Italiano): https://bit.ly/3Jfytr9
La mia storia con Intel (italiano): https://bit.ly/3EXSjom
The
Semimetallic Monstering that Changed our World (English): https://bit.ly/3kGzyPy
My Intel
Story (English): https://bit.ly/3ZezUvD
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